FA-失效分析能力

元器件塑封层、芯片顶部、粘接层、导线框、BGA 样品以及底填分层缺陷等

名称/型号 参数
  • · 超声波扫描显微镜（SAT）+PVASAM 301
  • · 扫描范围：1x1μm(Min)、320x320mm(Max)
  • · 重复精度：±0.1um
  • · 扫描速度 1000mm/s(可调）

锡球和焊点、内部连线和铜柱、填充剂流动性、内部组件定位、裂缝和缺陷等检查

名称/型号 参数
  • · X射线透视（X-ray&CT）
  • · 检测能力： <0.35um
  • · 几何放大倍率：2500X
  • · 总放大倍率: 45000

芯片及元器件缺陷观察

名称/型号 参数
  • · 金相显微镜（OM）
  • · 明暗场物镜、微分干涉、偏光观察、500万CCD相机

SEM：样品缺陷超高倍率拍摄及测量 EDS（搭载）：确认样品区域元素及占比

名称/型号 参数
  • · 冷场发射扫描电子显微镜（SEM+EDS）
  • · SEM：分辨率：0.7nm@15KV、0.8nm@1kV、放大倍率：20倍~1,000,000倍
  • · EDS：60mm²有效晶体面积、元素检测范围：Be(4) – Cf(98)

DPA制样离子束研磨

名称/型号 参数
  • · 离子研磨仪（Ion Milling）
  • · 最大样品尺寸：截面20(W)×12(D)×7(H)mm
  • · 平面加工：50mm(Φ)×25mm(H)
  • · 倾斜角度：0-90°

研磨制样，分析发现各种异样，产品缺陷

名称/型号 参数
  • · 研磨机（Cross section）
  • · 变速：10-500 RPM
  • · 英寸LCD触摸屏

分析样品内部结构

名称/型号 参数
  • · 切割机（Cross section）
  • · 切割能力：51mm(H)

降低非导电体样品处电荷积累，避免电镜拍摄效果不佳

名称/型号 参数
  • · 离子溅射仪（Ion Sputter）
  • · 最大样品尺寸：60mm(Φ)×20mm(H)