关键制程能力-Bumping

Solder Ball (Ball Drop)

工艺结构 工艺结构示意图 工艺能力
  • · 1P1M,Ball on RDL W/ PI
  • · 2P2M,Ball on RDL W/ PI
  • · 3P3M,Ball on RDL W/ PI

  • · Wafer尺寸:8/12寸
  • · Ball高度:≥85um
  • · Ball直径:≥100um
  • · Ball共面性:≤20um@WIW
  • · Ball节距:≥300um
  • · Ball材料:SAC305
  • · UBM结构:Cu
  • · RDL层数:≤3
  • · RDL L/S:5/5um

 

Solder Bump (Plating)

工艺结构 工艺结构示意图 工艺能力
  • · 1P1M,Solder Bump on Pad W/ PI
  • · 2P2M,Solder Bump on RDL W/ PI
  • · 3P3M,Solder Bump on RDL W/ PI

  • · Wafer尺寸:8/12寸
  • · Bump高度:≤90um
  • · Bump直径:≥50um
  • · Bump共面性:≤10um@WIW
  • · Bump节距:≥100um
  • · Bump材料:Cu/Ni/SnAg or Ni/SnAg
  • · UBM结构:Ti/Cu
  • · RDL层数:≤3
  • · RDL L/S:5/5um

 

Cu Pillar Bump

工艺结构 工艺结构示意图 工艺能力
  • · 1P1M,Pillar on Pad W/ PI
  • · 2P2M,Pillar on RDL W/ PI
  • · 3P3M,Pillar on RDL W/ PI

  • · Wafer尺寸:8/12寸
  • · Bump高度:≤90um
  • · Bump直径:≥40um
  • · Bump共面性:≤10um@WIW
  • · Bump节距:≥80um
  • · Bump材料:Cu/Ni/SnAg or Cu/SnAg
  • · UBM结构:Ti/Cu
  • · RDL层数:≤3
  • · RDL L/S:5/5um