关键制程能力-Bumping

Solder Ball （Ball Drop）

工艺结构 工艺结构示意图 工艺能力
  • · 1P1M，Ball on RDL W/ PI
  • · 2P2M，Ball on RDL W/ PI
  • · 3P3M，Ball on RDL W/ PI

  • · Wafer尺寸：8/12寸
  • · Ball高度：≥85um
  • · Ball直径：≥100um
  • · Ball共面性：≤20um@WIW
  • · Ball节距：≥300um
  • · Ball材料：SAC305
  • · UBM结构：Cu
  • · RDL层数：≤3
  • · RDL L/S：5/5um

 

Solder Bump （Plating）

工艺结构 工艺结构示意图 工艺能力
  • · 1P1M，Solder Bump on Pad W/ PI
  • · 2P2M，Solder Bump on RDL W/ PI
  • · 3P3M，Solder Bump on RDL W/ PI

  • · Wafer尺寸：8/12寸
  • · Bump高度：<90um
  • · Bump直径：≥50um
  • · Bump共面性：≤10um@WIW
  • · Bump节距：≥100um
  • · Bump材料：Cu/Ni/SnAg or Ni/SnAg
  • · UBM结构：Ti/Cu
  • · RDL层数：≤3
  • · RDL L/S：5/5um

 

Cu Pillar Bump

工艺结构 工艺结构示意图 工艺能力
  • · 1P1M，Pillar on Pad W/ PI
  • · 2P2M，Pillar on RDL W/ PI
  • · 3P3M，Pillar on RDL W/ PI

  • · Wafer尺寸：8/12寸
  • · Bump高度：≤90um
  • · Bump直径：≥40um
  • · Bump共面性：≤10um@WIW
  • · Bump节距：≥80um
  • · Bump材料：Cu/Ni/SnAg or Cu/SnAg
  • · UBM结构：Ti/Cu
  • · RDL层数：≤3
  • · RDL L/S：5/5um