经典工艺之WBBGA封装
50年前,Gordon Moore提出了集成电路特征尺寸随时间按照指数规律缩小的法则,被称为“摩尔定律”。即当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。但当先进制程进入到了5nm时代后,硅芯片逼近物理和经济成本上的极限,后摩尔时代来临,技术路线按照“More Moore (深度摩尔)”、“More than Moore (超越摩尔)”和“Beyond CMOS (新器件)”不同的维度继续演进。与此同时,传统封装工艺也以成熟的技术和低廉的成本继续较大份额的占据全球封装市场。
传统封装概念从最初的三极管直插时期后开始产生。相比于先进封装制程,射频、模拟以及混合信号模块等更适合成熟且低廉的传统封装工艺实现。对于复杂的模拟电路而言,为了充分利用芯片面积,满足多种电路性能要求,往往采用手工设计版图,这就必须考虑串扰的问题,而射频电路则要使用大尺寸的电感,所以在集成度上,先进封装制程效果并非立竿见影反而会导致成本较高。在性能方面,先进封装制程的电源电压偏低使晶体管输出阻抗较小,模拟/射频/模拟信号模块的性能反而可能更差。另外在低电源电压下,模拟电路的线性度也很难保证。
汽车领域的应用场景与可靠性方面也主要采用传统的WBBGA (Wire Bond Ball Grid Array /引线键合芯片球栅格阵列)这一成熟工艺封装。这一封装工艺能够实现:
- 容纳更多引脚数,提高信号集成度
- 用共面焊接的组装使可靠性大大提高
RMT在传统封装WBBGA(Wire Bond Ball Grid Array /引线键合芯片球栅格阵列)解决方案领域拥有丰富的成功案例和大量的项目经验,下面是 RMT 关于WBBGA(Wire Bond Ball Grid Array /引线键合芯片球栅格阵列)相关封装的项目产品介绍。
▲RMT国产GPU芯片
高密度 HDI fine pitch 基板及先进的键合工艺,6层有机基板1200多根金线5层金线打线,超大规格GPU结构处理器芯片,包含DDR3、HDMI、PCIE等高速信号具备高可靠性、工业档以上验收标准。
封装形式:WBBGA(Wire Bond Ball Grid Array)
Ball数量:1024
封装尺寸:26mm x 26mm
基板:6层有机基板
▲RMT中频、数字、射频一体化SiP芯片
采用方案定制设计,集模拟、数字、射频信号于一体,单芯片集成SiP交换机芯片,可实现TX、RX 12.5Gbps的信号速率,并且具备SI、PI、热性能及物理性能表现突出。
封装形式:WBBGA(Wire Bond Ball Grid Array)
Ball数量:484
封装尺寸:16mm x 16mm
基板:6层有机基板 (BT材料)